Japonai pristatė hibridinio NAND ir ReRAM kaupiklio prototipą

Kasmetiniame VLSI 2012 simpoziume, kuris skirtas aukštosioms technologijoms, buvo pademonstruotas gana įdomus projektas. Grupė Japonijos mokslininkų sukūrė duomenų kaupiklį, kuris sudaro hibridą iš šiuo metu plačiai paplitusios NAND Flash bei naujosios rezistyvinės ReRAM atminties mikroschemų.

Interneto portalo "Tech On!" žurnalistų teigimu, naujasis produktas apjungs savyje teigiamas abiejų atminties tipų puses, t.y. suteiks aukščiausią spartos lygį bei gana solidžią talpą.

Pademonstruotas hibridinio disko prototipas apjungė 256 GB NAND Flash ir 8 GB ReRAM atminties. Valdomas ypatingų MRU algoritmų, kurie reguliuoja informacijos srautus, naujasis kaupiklis gali suteikti maždaug dešimteriopą spartos pranašumą, duomenis įrašant, nei tai gali pasiūlyti šiuolaikiniai SSD. Visa tai pasiekiama, į ReRAM atmintį duomenis įrašant 30 kartų dažniau, nei į NAND Flash, kurios ilgaamžiškumas su vis nauju technologiniu procese nuolat mažėja.

Be to, naujo hibridinio disko autoriai pažadėjo, jog jų kaupiklis savo ilgaamžiškumu maždaug 68% lenks SSD atstovus, tuo tarpu energijos suvartojimo lygis bus sumažintas maždaug 93%, nors dabartiniai SSD jau šiandien nepasižymi dideliu energetiniu apetitu.

Projektas vadovas, profesorius Ken Takeuchi įsitikinęs, jog jo komandos kūrinys turi puikias perspektyvas, kadangi jis gali pasiūlyti vartotojui tikrai didelę spartą bei patikimą darbą. Dabar belieka sulaukti, kol atpigs ReRAM atminties mikroschemos, kurios šiuo metu ir yra pagrindinė kliūtis, kodėl nauji hibridiniai diskai negali greitu metu pasirodyti prekyboje.

   

Facebook komentarai